ISO7220A-Q1
ISO7221A-Q1
ISO7221C-Q1
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SOIC-8 PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS
over recommended operating conditions (unless otherwise noted)
SLLS965C – JULY 2009 – REVISED MAY 2012
Low-K thermal resistance
θ JA
θ JB
θ JC
PARAMETER
Junction-to-air thermal resistance
Junction-to-board thermal resistance
Junction-to-case thermal resistance
TEST CONDITIONS
(1)
High-K thermal resistance
MIN
TYP
212
122
37
69.1
MAX
UNIT
°C/W
°C/W
°C/W
(1)
Tested in accordance with the Low-K or High-K thermal metric definitions of EIA/JESD51-3 for leaded surface mount packages.
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
V CC1,2 at 3.6 V
V CC1,2 at 5.5 V
0
50
100 150
200
T C - Case Temperature - °C
Figure 5. SOIC-8 θ JC THERMAL DERATING CURVE per IEC 60747-5-2
DEVICE FUNCTION TABLE
Table 1. ISO7220x or ISO7221x (1)
INPUT SIDE V CC
PU
PD
OUTPUT SIDE V CC
PU
PU
INPUT IN
H
L
Open
X
OUTPUT OUT
H
L
H
H
(1)
PU = Powered up(Vcc ≥ 3.0 V), PD = Powered down (Vcc ≤ 2.5 V), X = Irrelevant, H = High level,
L = Low level
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